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MT47H32M16NF-25E	DDR2 SDRAM Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Duplicate output strobe (RDQS) option for x8 • DLL to align DQ and DQS transitions with CK • 4 internal banks for conc	Micron 美光	Micron
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MT47H32M16NF-25E AIT:H	封装/外壳：84-TFBGA 包装：卷带（TR）描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA 集成电路（IC）存储器	ETC 知名厂家	ETC
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更新时间：2025-9-21 23:38:00

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2021-9-28
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2020-11-6
MT47H32M16NF-25E:H
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