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2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features

DDR3 SDRAM 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features • VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V • 1.5V center-terminated push/pull I/O • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-di

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DDR3 SDRAM MT41J512M4 ??64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 ??32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 ??16 Meg x 16 x 8 Banks

DDR3 SDRAM 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features • VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V • 1.5V center-terminated push/pull I/O • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-di

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MT41J512M4THV产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT41J512M4THV

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    512MX4 DDR3 SDRAM PLASTIC PBF F2F 1.5V - Trays

更新时间:2025-12-28 16:52:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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