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MT41J512M4

2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features

DDR3 SDRAM 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features • VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V • 1.5V center-terminated push/pull I/O • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-di

MICRON

美光

MT41J512M4

DDR3 SDRAM MT41J512M4 ??64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 ??32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 ??16 Meg x 16 x 8 Banks

DDR3 SDRAM 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features • VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V • 1.5V center-terminated push/pull I/O • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-di

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DDR3 SDRAM MT41J512M4 64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 16 Meg x 16 x 8 Banks

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DDR3 SDRAM MT41J512M4 ??64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 ??32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 ??16 Meg x 16 x 8 Banks

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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

MICRON

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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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封装/外壳:78-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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美光

封装/外壳:78-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

MT41J512M4产品属性

  • 类型

    描述

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3

  • 存储容量:

    2Gb (512M x 4)

  • 时钟频率:

    800MHz

  • 访问时间:

    13.75ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    78-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    78-FBGA(9x11.5)

更新时间:2026-8-5 7:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Micron
17+
FBGA
6200
Micron Technology Inc.
25+
54-VFBGA(6x8)
6895
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
micron(镁光)
24+
标准封装
37048
全新原装正品/价格优惠/质量保障
MICRON/美光
25+
N/A
12496
MICRON/美光原装正品MT41J512M4HX-15E:D即刻询购立享优惠#长期有货
Micron Technology Inc.
18500
全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持!
Micron Technology Inc.
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60-VFBGA
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MICRON/美光
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专营Micron全线品牌假一赔万原装进口货可开增值税发票
MICRON/美光
22+
BGA
5660
现货,原厂原装假一罚十!

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