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AON3812	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON3812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi	AOSMD 万国半导体	AOSMD
3812	Ultra-High Value Precision Resistors 文件：395.73 Kbytes Page：2 Pages	WELWYN	WELWYN
3812	Ultra-High Value Precision Resistor 文件：129.75 Kbytes Page：2 Pages	IRCTT	IRCTT
3812	Ultra-High Value Precision Resistors 文件：725.71 Kbytes Page：2 Pages	TTELEC	TTELEC
3812	Low voltage coefficient 文件：443.45 Kbytes Page：2 Pages	TTELEC	TTELEC

MT3812NSCR供应商更多...

更新时间：2026-1-4 20:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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MT40A1G16TB-062E IT:F
进口代理
2025-9-26
MT3205A
MOS管 MT3205A 140A 60V 场效应管 TO-220
2021-12-28
MT40A1G16RC-062E:B 深圳旭亨半导体有限公司
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2021-4-16
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2020-8-28
MT40A1G16RC-062E:B
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2020-4-15
MT3123AQARM3TEK(来颉)QFN-16L5V4A、1.25MHz15μA低IqFAST-PWM同步降压转换器
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2019-10-11