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HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR GaAs PHEMT

The RF Small Signal Line Gallium Arsenide PHEMT Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor Designed for use in low voltage, moderate power amplifiers such as portable analog and digital cellular radios and PC RF modems. • Performance Specifications at 3.5 V, 850 MHz: Output Power = 31

Motorola

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更新时间:2025-12-24 23:51:01
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