| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MSC9926W | 20V(D-S) Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：652.68 Kbytes Page：6 Pages | MORESEMI 摩矽半导体 |   | |
MSC9926W | Low Voltage MOS FETs | MORESEMI 摩矽半导体 | | |
Power switching application Description The 9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Dual N-Channel MOSFET Features 6A, 20 V. rDS(on) = 0.030 @ VGS = 4.5 V 5.2A, 20 V rDS(on) = 0.040 @ VGS = 2.5 V. | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：996.47 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
6A竊?0V Dual N-CHANNEL MOSFET 文件：124.3 Kbytes Page：4 Pages | KIA 可易亚半导体 | | ||
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：117.54 Kbytes Page：5 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020-7-17MSD7833-Z01-NB2
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2019-3-7
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