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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35030R5 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 3550 MHz, 30 W, 12 V SINGLE W−CDMA POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL base station applications with frequencies from 3400 to 3600 MHz. Suitable for TDMA and CDMA amplifier applications. To be used in Class AB applications. • Typical Single−Carrier W−CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ = 65 | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFG35030R5 | 封装/外壳：HF-600 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ HF-600 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35030R5 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35030R5产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35030R5
- 功能描述
MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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