型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3550 MHz, 30 W, 12 V SINGLE W−CDMA POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL base station applications with frequencies from 3400 to 3600 MHz. Suitable for TDMA and CDMA amplifier applications. To be used in Class AB applications. • Typical Single−Carrier W−CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ = 65

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:HF-600 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 15V 3.55GHZ HF-600 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

ETC

知名厂家

30 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX

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Cree

科锐

30 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX

文件:1.11235 Mbytes Page:12 Pages

Cree

科锐

30 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX

文件:1.11235 Mbytes Page:12 Pages

Cree

科锐

Standard Recovery Diodes

文件:690.71 Kbytes Page:5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

MRFG35030产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35030

  • 功能描述

    MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-12-29 22:58:00
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