型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

3550MHz,30W,12VSINGLEW−CDMAPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLLbasestationapplicationswithfrequenciesfrom3400to3600MHz.SuitableforTDMAandCDMAamplifierapplications.TobeusedinClassABapplications. •TypicalSingle−CarrierW−CDMAPerformance:VDD=12Volts,IDQ=65

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

封装/外壳:HF-600 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 15V 3.55GHZ HF-600 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

30W,3300-3900MHz,28V,GaNHEMTforWiMAX

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

30W,3300-3900MHz,28V,GaNHEMTforWiMAX

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

30W,3300-3900MHz,28V,GaNHEMTforWiMAX

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

StandardRecoveryDiodes

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NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

MRFG35030产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35030

  • 功能描述

    MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2024-6-22 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VENKEL
0805+
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2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MOTOROLA/摩托罗拉
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4000

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