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RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateral MOSFETsDesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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更新时间:2025-7-24 23:00:01
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