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MRF9060NR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF9060NR1

封装/外壳:TO-270AA 包装:散装 描述:FET RF 65V 945MHZ TO270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF9060NR1

封装/外壳:TO-270AA 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 945MHZ TO270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF9060NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF9060NR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF9060NR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 60W 1GHZ FET TO-270

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Freescale(飞思卡尔)
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