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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF9060NR1 | RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicat | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF9060NR1 | 封装/外壳：TO-270AA 包装：散装 描述：FET RF 65V 945MHZ TO270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF9060NR1 | 封装/外壳：TO-270AA 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 945MHZ TO270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF9060NR1 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：455.06 Kbytes Page：12 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：455.06 Kbytes Page：12 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF9060NR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF9060NR1
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 60W 1GHZ FET TO-270
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCA |
23+ |
TO-270A |
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TO-270AA |
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25+ |
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全新原装现货,价格优势 |
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恩XP |
22+ |
TO2702 |
9000 |
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MRF9060NR1规格书下载地址
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