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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 66V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 66V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFE6S9130HS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFE6S9130HS

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-12 18:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品代理渠道价格优势

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