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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | ||
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：419.22 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 66V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 66V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors 文件：475.55 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRFE6S9130HS产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFE6S9130HS
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
5 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FREESCA |
25+ |
NI-880S |
5 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
恩XP |
25+ |
NI-780S |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
FSE |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
FREESCALE |
2450+ |
NI-880S |
9485 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Freescale |
23+ |
高频管 |
1080 |
专营高频管模块,全新原装! |
|||
2406+ |
SMD |
1850 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
||||
FREESCAL |
22+ |
NI-880S |
5000 |
原装现货库存.价格优势 |
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