型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF9002NR2

RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source amplifier applications

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF9002NR2

封装/外壳:16-SOP(0.276",7.00mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:RF MOSFET LDMOS 26V 16PFP 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF9002NR2

1000 MHz, 2 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF9002NR2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF9002NR2

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 FR PWR FET ARRAY PFP-16N

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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