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MRF8P8300HR6

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies from 790 to 820 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8P8300HR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

MRF8P8300HR6

封装/外壳:NI-1230 包装:散装 描述:FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF8P8300HR6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF8P8300HR6

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV8-800 28V NI1230H

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
24+
NA/
17
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FREESCALE
24+
200
现货供应
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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24+
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1680
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十
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5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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NI1230
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原厂渠道,现货配单
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23+
NI-1230S
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原装正品,假一赔十
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25+
NI-1230
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8510
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