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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Power Field Effect Transistors | ETC 知名厂家 | ETC |   | |
1880-2025 MHz，37 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：NI-780-4 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1880-2025 MHz, 37 W Avg., 28 V | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：NI-780S-4L 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF8P20160产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF8P20160
- 功能描述
DISCRETE RF FET
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
1026 |
QFP |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
恩XP |
2021+ |
NI-780-4 |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
|||
Freescale |
16+ |
NA |
2587 |
全新进口原装 |
|||
恩XP |
25+ |
NI-780-4 |
8880 |
原装认准芯泽盛世！ |
|||
恩XP |
25+ |
NI-780-4 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
|||
恩XP |
21+ |
NI-780-4 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
FREESCALE |
23+ |
SOT11221B |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FLS |
24+ |
SMD |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
恩XP |
24+ |
NI-780-4 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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