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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

3100--3500 MHz, 15 W PEAK, 32 V PULSED LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for pulsed wideband applications operating at frequencies between 3100 and 3500 MHz. • Typical Pulsed Performance: VDD = 32 Volts, IDQ = 50 mA, Pout = 15 Watts Peak (3 Watts Avg.), Pulsed Signal, f = 3500 MHz, Pul

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:NI-400S-2S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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封装/外壳:NI-400S-2S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF7S35015HS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S35015HS

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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原厂渠道 可含税出货
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恩XP
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9000
原厂渠道,现货配单

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