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RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

3100--3500MHz,15WPEAK,32VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. •TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=50mA,Pout=15WattsPeak(3WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz,Pul

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RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

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封装/外壳:NI-400S-2S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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封装/外壳:NI-400S-2S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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MRF7S35015H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S35015H

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-6-21 18:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2022
moudle
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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