型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

2110--2170 MHz, 63 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

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知名厂家

Fast Recovery Rectifier (1000Amperes Average 1600 Volts)

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POWEREX

MRF7S21210HR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S21210HR

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-14 17:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Freescale
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长期供应原装现货实单可谈
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