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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF7S21170HS

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 50 W Avg., 28 V

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN - PCS/cellular radio and WLL appl

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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RF Power Field Effect Transistors

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RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF7S21170HS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S21170HS

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-8-1 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
NI-880S
20000
原装
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26+
TO-59
245
价格优势
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18+
NI-880
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
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全新原装现货,假一赔十
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25+
NI-880S
443
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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NI-880S
89630
当天发货全新原装现货
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