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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MRF7S21170HR3 | RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN - PCS/cellular radio and WLL appl | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
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MRF7S21170HR3 | 封装/外壳：SOT-957A 包装：托盘 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
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MRF7S21170HR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF7S21170HR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI880H
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
25+23+ |
NA |
23957 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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10+12+ |
NI-880 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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FREESCALE |
11+ |
NI-880 |
270 |
只做原装正品 |
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2223+ |
NI-880 |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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