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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF6VP121KHR6 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：608.26 Kbytes Page：20 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF6VP121KHR6 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6VP121KHR6 | 封装/外壳：NI-1230 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6VP121KHR6产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6VP121KHR6
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1kW 50V NI1230H
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
更新时间：2025-12-17 11:40:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
NI-123 |
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