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MRF6S9060NR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicatio

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9060NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MRF6S9060NR1

封装/外壳:TO-270AA 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

880 MHz, 14 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large - signal, common - source amplifier app

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor

ETC

知名厂家

MRF6S9060NR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6S9060NR1

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-8-10 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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