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RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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更新时间:2025-8-5 19:10:01
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