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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF6P27160H | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：490.55 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 2600-2700 MHz, 35 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2600 to 2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for WLL applications. • Typical | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：490.55 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistor 文件：492.81 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-1230 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：490.55 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF6P27160H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6P27160H
- 制造商
FREESCALE
- 制造商全称
Freescale Semiconductor, Inc
- 功能描述
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
FSL |
24+ |
SMD |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
24+ |
800 |
||||||
FREESCALE |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
||||
FREESCALE |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
mot |
22+ |
高频管 |
350 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
恩XP |
22+ |
NI1230 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREESCALE |
22+ |
18000 |
原装现货原盒原包.假一罚十 |
||||
FSL |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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