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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF6P18190HR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 1805-1880 MHz, 44 W AVG., 28 V 2 x W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF6P18190HR6 | 封装/外壳：NI-1230 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6P18190HR6 | 1805-1880 MHz, 44 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6P18190HR6产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6P18190HR6
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.8GHZ 44W
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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