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位置：首页 > IC中文资料第5556页 > MRF5S9100

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF5S9100MBR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicati

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9100MR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF5S9100NBR1

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9100MR1

封装/外壳：TO-270AB 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5S9100NBR1

封装/外壳：TO-272BB 包装：托盘 描述：FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5S9100NBR1

RF Power Field Effect Transistors

文件：525.1 Kbytes Page：16 Pages

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9100NR1

RF Power Field Effect Transistors

文件：525.1 Kbytes Page：16 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S9100

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRF5S9100供应商更多...

更新时间：2025-8-17 10:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MRF5S9100NR1
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