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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S9080N | 869-960 MHz, 80 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs | ETC 知名厂家 | ETC |   |
RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. GSM Application • Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 869-960 MHz, 80 W, 26 V | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-272BB 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 960MHZ TO-272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-270AB 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 960MHZ TO-270-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5S9080N产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S9080N
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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