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MRF5S21130HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications at frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL appl

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S21130HR3

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5S21130HR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S21130HR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-2 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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