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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S19150HSR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 1930-1990 MHz, 32 W AVG., 28 V 2 x N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5S19150HSR3 | 封装/外壳：NI-880S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5S19150HSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S19150HSR3
- 功能描述
MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
211 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
MOTOROLA |
22+ |
control |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
FREESCALE |
22+ |
TO-272WB-4 |
2000 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FREESCAIE |
17+ |
SMD |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
24+ |
20 |
||||||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
FREESCAIE |
21+ |
SMD |
1625 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
FREESCALE |
25+ |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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