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MRF5S19130HSR3

Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ =

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S19130HSR3

RF Power Field Effect Transistors

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S19130HSR3

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5S19130HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S19130HSR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-1-28 19:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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