型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2110-2170 MHz, 10 W AVG., 28 V 2 x W-CDMA, DUAL PATH LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Dual path topology suitable for Doherty, quadrature, single

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:TO-270AB 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

2110-2170 MHz, 10 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Dual Path Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF5P21045N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5P21045N

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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