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MRF5P20180R6

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

RF Power Field Effect Transistor The RF Sub–Micron MOSFET Line N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cell

Motorola

摩托罗拉

MRF5P20180R6

1990 MHz, 38 W AVG., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF5P20180R6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5P20180R6

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-12-23 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
24+
NA/
500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO270WB4
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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