型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for digital and analog cellular PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2500 MHz. Characterized for operation Class A and Class AB at 26 volts

Motorola

摩托罗拉

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:NI-200S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

Fuseholders - For MicroTM Fuse or Pico II Fuses

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Littelfuse

力特

High CMV, High Performance Isolation Amplifiers

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未分类制造商

High CMV, High Performance Isolation Amplifiers

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INTRONICS

MRF281S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF281S

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-12-27 14:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NI200S
9000
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