位置：首页 > IC中文资料第1780页 > MRF281SR1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF281SR1 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS The RF Sub–Micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for digital and analog cellular PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2500 MHz. Characterized for operation Class A and Class AB at 26 volts | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | |
MRF281SR1 | RF Power Field Effect Transistors 文件：282.21 Kbytes Page：8 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF281SR1 | 封装/外壳：NI-200S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF281SR1 | 2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistors 文件：282.21 Kbytes Page：8 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF281SR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF281SR1
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
23+ |
高频管 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
FREE |
24+ |
3 |
|||||
MOT |
2023+ |
2 |
|||||
MOT |
26+ |
SMD |
9526 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
FREESCALE |
25+23+ |
New |
33285 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
MOTOROLA |
18+ |
SMD |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
FSL |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MOT |
22+ |
高频管 |
350 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
FREESCALE |
25+ |
458B-03 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
恩XP |
22+ |
NI200S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
MRF281SR1规格书下载地址
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