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MRF281SR1

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for digital and analog cellular PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2500 MHz. Characterized for operation Class A and Class AB at 26 volts

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF281SR1

2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF281SR1

封装/外壳:NI-200S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF281SR1

RF Power Field Effect Transistors

文件:282.21 Kbytes Page:8 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

文件:282.21 Kbytes Page:8 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF281SR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF281SR1

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-8-1 17:21:00
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