型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MRF21010LSR1

封装/外壳:NI-360S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21010LSR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21010LSR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 10W 28V 2.1 GHZ LDMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-1-28 21:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Freescale
1039+
NI-360S-3
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十
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