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位置：首页 > IC中文资料第2626页 > MRF19085L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF19085L

1930-1990 MHz, 90 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

ETC

知名厂家

MRF19085

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V

Motorola

摩托罗拉

MRF19085

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19085LR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19085LR3

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V

Motorola

摩托罗拉

MRF19085LSR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19085LSR3

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V

Motorola

摩托罗拉

MRF19085LR5

封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF19085LSR3

封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF19085L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF19085L

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-780

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRF19085L供应商更多...

更新时间：2025-10-16 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市亿智腾科技有限公司
MRF19085L
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