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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF19085LR3 | RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V | Motorola 摩托罗拉 |   | |
MRF19085LR3 | RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts, | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF19085LR3 | 封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF19085LR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF19085LR3
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
3300 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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FREESCALE |
2023+ |
TO-63 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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FREESCALE |
25+23+ |
NA |
22523 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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FREESCALE |
25+ |
TO-63 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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FREESCALE |
24+ |
NI-780S |
145 |
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FREESCALE |
22+ |
NI-780 |
18000 |
原装现货原盒原包.假一罚十 |
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FREESCALE |
0511+ |
TO-63 |
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原装现货 |
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24+ |
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