型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF18090A

RF Power Field Effect Transistor

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18090A

1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

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MOTOROLA

摩托罗拉

RF Power Field Effect Transistor

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

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MOTOROLA

摩托罗拉

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MOTOROLA

摩托罗拉

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18090A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18090A

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-880

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-3-15 15:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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