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MRF18090AR3

RF Power Field Effect Transistor

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18090AR3

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF18090AR3

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF18090AR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18090AR3

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-880

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-5-21 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
恩XP
21+
NI-650H-4
8080
只做原装,质量保证
恩XP
24+
NI-650H-4
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ON/安森美
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
HIROSE/广濑
2608+
/
182881
一级代理,原装现货
FREESCAL
22+
NI-880
20000
公司只有原装 品质保障
FREESCALE
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
26+
N/A
78000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
恩XP
23+
NI880
8000
只做原装现货
FREESCALE
2308+
NI-780
4580
十年专业专注 优势渠道商正品保证公司现货

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