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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF18090BS

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MOTOROLA

摩托罗拉

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

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MOTOROLA

摩托罗拉

1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

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MOTOROLA

摩托罗拉

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18090BS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18090BS

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

更新时间:2026-8-1 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
26+
NI-650H-4
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
恩XP
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NI-650H-4
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恩XP
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6000
原厂原装 欢迎询价
恩XP
23+
NI-650H-4
8900
全新原装现货

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