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MRF18060ALR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN -PCS/cellular radio and WLL

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18060ALR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18060ALR3

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.88GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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MRF18060ALR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18060ALR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 60W GSM 1.8GHZ

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-1-29 20:00:00
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