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MRF1803BR3

THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect TransistorsThe RF MOSFET Line N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF1803BR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF1803BR3

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

更新时间:2026-1-28 11:46:00
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