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MRF18030ALR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz. • Typical GSM Performanc

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18030ALR3

RF Power Field Effect Transistors

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Motorola

摩托罗拉

MRF18030ALR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18030ALR3

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors

更新时间:2025-8-10 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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