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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MRD6S18060MR1 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：684.44 Kbytes Page：20 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRD6S18060MR1 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRD6S18060MR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRD6S18060MR1
- 制造商
FREESCALE
- 制造商全称
Freescale Semiconductor, Inc
- 功能描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
更新时间：2026-3-1 16:49:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA原 |
25+23+ |
DIP-2 |
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