制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
工作频率: 520 MHz
增益: 14 dB
输出功率: 8 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 1.83 mm
长度: 6.73 mm
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 62.5 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: MRF1517NT1
1000
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
宽度: 5.97 mm
零件号别名: 935310293515
单位重量: 280 mg
