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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BS108	200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL Logic Level TMOS N–Channel Enhancement Mode This TMOS FET is designed for high voltage, high speed switching applications such as line drivers, relay drivers, CMOS logic, microprocessor or TTL to high voltage interface and high voltage display drivers. • Low Drive Requirement, VGS = 3	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
HER108	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(1.0A,600-1000V) Switchmode Power Rectifiers . . . Designed for use in switching power supplies. These state-of-the-art devices have the fllowing features: * High Surge Capacity * Low Power Loss, High efficiency. * Glass Passivated chip junctions * 150°C Operating Junction Temperature * Low Stored Charge	MOSPEC 统懋	MOSPEC
LM108	Operational Amplifiers 文件：158.28 Kbytes Page：8 Pages	NSC 国半	NSC
LM108A	Operational Amplifiers 文件：158.28 Kbytes Page：8 Pages	NSC 国半	NSC
LM108AH	Operational Amplifiers 文件：158.28 Kbytes Page：8 Pages	NSC 国半	NSC

MR-108T供应商更多...

更新时间：2026-8-4 11:11:02

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MR176 红外相机，热像仪用于测量湿度，温度包括电池，电缆，盒子，充电器，镜头盖，手册，电源，SD 卡，皮带
MR176
2023-4-6
MQ7868
MQ7868,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-4-10
MQ7861
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2021-4-10
MQPI-18LP-01
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2020-12-25
MR25H256MDFR
SPI 磁阻随机存取存储器 (MRAM) , 32 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) , 1 Mbit SPI 磁阻随机存取存储器 (MRAM) , SPI 磁阻随机存取存储器 (MRAM) , 35 ns 磁阻随机存取存储器 (MRAM) , 32 Mbit Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
2020-7-13
MRA4003T3G
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2019-11-15