3V to 22V Input, 1A, Ultra-Low 5μA IQ Power Module in an LGA Package

DESCRIPTION The MPM3612 is a synchronous, rectified, stepdown, switch-mode power module with built-in internal power MOSFETs and high light-load efficiency. The MPM3612 has an ultra-low 5μA quiescent current (IQ). The MPM3612 offers a very compact solution that can achieve up to 1A of conti

3V 至 22V 输入、1A、5μA 超低静态电流（IQ）电源模块，采用 LGA 封装

MPM3612 是一款同步、整流、降压、开关模式电源模块，它内置功率 MOSFET 并具有高轻载效率和超低 5μA 静态电流 (IQ)。 该器件提供了非常紧凑的解决方案，可实现高达 1A 的连续输出电流 (IOUT)，并在宽输入电源范围内具有出色的负载和线性调整率。\n\n MPM3612 专门针对 EMI降低优化了开关沿。其恒定导通时间 (COT) 控制可实现无缝模式转换和快速负载瞬态响应。 该器件还提供过流保护 (OCP)、过压保护 (OVP) 和过温关断等保护功能。\n\n MPM3612 最大限度地减少了所需的现有标准外部元器件，并采用节省空间的 LGA (3mmx • 3V 至 22V 宽输入工作电压 (VIN) 范围\n• 1A负载电流\n• 省电模式 (PSM)\n• 导通时间 (tON) 延长以支持大占空比\n• EN 关断输出放电\n• 可调输出电压 (VOUT)\n• 采用 LGA (3mmx3mmx2mm) 封装;

采用 LGA-10 (3mmx3mmx2mm) 封装的 3V 至 22V 输入、1A、5μA超低IQ电源模块

MPM3612-33 是一款具有内部功率 MOSFET 和高轻载效率的同步整流降压开关模式变换器。该器件具有5μA 超低静态电流 (IQ)，可提供超紧凑的解决方案。它在宽输入电源范围内可实现 1A 连续输出电流 (IOUT)，并具有出色的负载和线性调整率。\n\n MPM3612-33 经过优化的开关沿可降低电磁干扰 (EMI)。其恒定导通时间 (COT) 控制则提供了无缝模式转换和快速负载瞬态响应。\n\n 该器件还提供全面的保护功能，包括过流保护 (OCP)、过压保护 (OVP) 和过温关断保护。\n\n MPM3612-33 最大限度地减少了所需的现有标准外 • 3V 至 22V 宽工作输入电压 (VIN) 范围\n• 5μA 低静态电流 (IQ)\n• 1A负载电流\n• 当 VIN 介于 4V 至 22V 之间时，在100μA 至 1A 负载范围内具备高效率\n• 省电模式 (PSM)\n• 连续导通模式 (CCM) 下具备1.25MHz固定开关频率 (fSW)\n• 导通时间 (tON) 延长以支持大占空比\n• 电源正常 (PG) 指示\n• 启用 (EN) 关断输出放电\n• 带打嗝模式的过流保护 (OCP) 和过压保护 (OVP)\n• 3.3V 固定输出电压 (VOUT)\n• 采用 LGA-10 (3mmx3mmx2mm) 封装;

丝印代码：BNR；3V to 22V Input, 1A, Ultra-Low 5μA IQ Power Module in an LGA Package

DESCRIPTION The MPM3612 is a synchronous, rectified, stepdown, switch-mode power module with built-in internal power MOSFETs and high light-load efficiency. The MPM3612 has an ultra-low 5μA quiescent current (IQ). The MPM3612 offers a very compact solution that can achieve up to 1A of conti

Pre-power amplifier for headphone stereos

The BA3612AKV is configured of a pre-amplifier and a headphone amplifier, and contains internal AMS, B.B, AVLS, and BEEP amplifier functions. Also, this IC can be used in combination with the BA3641FV to enable configuration of recording and playback sets. Features 1) Low current consumption. 2

100V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 3.4 A, 100 V. RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 6 V • Fast switchin

PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTOR FOR ERICSSON COMPONENTS 3357/3 DCLIC

OVERVOLTAGE PROTECTION FOR ERICSSON COMPONENTS LINE INTERFACE CIRCUITS description The R3612 is a dual forward-conducting buffered p-gate over voltage protector in a plastic DIP package. It is designed to protect the Ericsson Components PBA 3357/3 DCLIC (Dual Channel Complete Line Interface Circ