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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MPM3506A

36V/0.6A Module Synchronous Step-Down Converter with Integrated Inductor

文件：1.39226 Mbytes Page：22 Pages

MPS

美国芯源

MPM3506A

集成电感的 36V、0.6A 模块同步降压变换器

MPS

美国芯源

MPM3506AGQV

36V/0.6A Module Synchronous Step-Down Converter with Integrated Inductor

文件：1.39226 Mbytes Page：22 Pages

MPS

美国芯源

MPM3506AGQV-P

封装/外壳：19-PowerLQFN 模块 包装：管件 描述：DC DC CONVERTER 0.81-32V 电源 - 板安装 直流转换器

ETC

知名厂家

MPM3506AGQV-Z

封装/外壳：19-PowerLQFN 模块 包装：管件 描述：DC DC CONVERTER 0.81-32V 电源 - 板安装 直流转换器

ETC

知名厂家

3506

AC axial compact fan

General description AC voltage fan with external rotor shaded-pole motor. Protected from overload by impedance protection. Fan housing and fan impeller made of metal. Air exhaust over bars. Rotational direction clockwise looking at rotor. Electrical connection to 2 single strands. Strand ends

EBMPAPST

依必安派特

3506

200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 40.0 A - 60.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

40.0 A - 60.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

VMI

3506

TUBEAXIAL

文件：423.43 Kbytes Page：1 Pages

EBMPAPST

依必安派特

3506

PTFE Heat Shrink Tubing

文件：240.97 Kbytes Page：2 Pages

MULTICOMP

易络盟

3506

Dual Monolithic 1.6A Step-Down Switching Regulator

文件：679.81 Kbytes Page：24 Pages

LINER

凌力尔特

MPM3506A供应商更多...

更新时间：2025-12-25 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
MPM3506AGQV-P
MPS(美国芯源)
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Monolithic Power Systems Inc.
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MPM3506AGQV-Z
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深圳市华康联电子科技有限公司
MPM3506AGQV-P
MPS(美国芯源)
23+
N/A
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MPM3506A规格书下载地址

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  • MPM3620AGQV-Z,MPS代理商授权经销

    MPS代理商授权经销，深圳市惊羽科技有限公司，刘先生:1314700-5145，QQ:43871025，货真价实，有问必回！

    2020-9-25

  • MPM3630GQV-Z,MPS代理商授权经销

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  • MPM3632CGQV-Z,MPS代理商授权经销

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    2020-9-25

  • MPIC2130-3相桥驱动器

    该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作

    2013-2-7

  • MPIC2112DW-高端和低端驱动器

    MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R

    2012-11-12

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