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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MPLAD30KP400A | 封装/外壳：非标准型 SMD 包装：散装 描述：TVS DIODE 400VWM 644VC PLAD 电路保护 TVS - 二极管 | Microchip 微芯科技 |   | |
封装/外壳：非标准型 SMD 包装：散装 描述：TVS DIODE 400VWM 644VC PLAD 电路保护 TVS - 二极管 | Microchip 微芯科技 | | ||
30kW Transient Voltage Suppressor DESCRIPTION These Microsemi 30 kW Transient Voltage Suppressors (TVSs) are designed for applications requiring protection of voltage-sensitive electronic devices that may be damaged by harsh or severe voltage transients including lightning per IEC61000-4-5 and class levels with various source imp | Microsemi 美高森美 | | ||
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 • Glass passivated junction • 30000W Peak Pulse Power capability on 10/1000 µs waveform • Excellent clamping capability • Repetition rate (duty cycle):0.05 • Low incremental surge resistance • Fast resp | MDE | | ||
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VR : 26 - 400 Volts PPK : 30,000 Watts FEATURES : * Glass passivated junction chip * Excellent Clamping Capability * Fast Response Time * Low Leakage Current * Pb / RoHS Free | EIC | | ||
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FEATURES : * Excellent Clamping Capability * Fast Response Time * Low Leakage Current * Pb / RoHS Free | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
30kW TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 文件：210.73 Kbytes Page：5 Pages | DIGITRON | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Microsemi(美高森美) |
24+ |
PLAD |
7753 |
正规渠道,大量现货,只等你来。 |
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Microsemi |
24+ |
N/A |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
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鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
价优秒回原装现货 |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
PLAD |
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专业配单保证原装正品假一罚十 |
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N/A |
23+ |
Microsemi |
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MICROCHIP/微芯 |
2020+ |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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PLAD |
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现货,原厂原装假一罚十! |
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MICROSEMI |
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2022-9-27MPM3620AGQV-Z,MPS代理商授权经销
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2020-9-25MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R
2012-11-12
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