位置：首页 > IC中文资料 > MPL-05S-24EUP
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MPL-05S-24EUP | 5WOutputPower 文件：1.55664 Mbytes Page：4 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) |  |   |
MiniaturePCB-Mount,5W,OpenFrameAC/DCPowerSupplies 文件：337.54 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | | |
5WOutputPower 文件：398.19 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | | |
Compact,5WPCMountSingle,Dual&TripleOutAC/DCPowerSupplies 文件：199.03 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | | |
Miniature1x1Inch5W,SingleOutputAC/DCPowerSupplies 文件：547.63 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
23+ |
TO-220F |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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ROHM |
SOT-89 |
5000 |
公司存货 |
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ROHM |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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SANKEN |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Sanken |
24+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
SANKEN |
23+ |
TO263 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
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ROHM |
13+ |
SOT89 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
2022+ |
500000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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ROHM |
13+ |
SOT89 |
9000 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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ROHM |
2023+ |
SOT-89 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
MPL-05S-24EUP芯片相关品牌
MPL-05S-24EUP规格书下载地址
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MPL-05S-24EUP数据表相关新闻
MPFS250T-FCVG484E FPGAs
Microchip的PolarFire是一款低功耗、多核RISC-VSoCFPGA
2022-9-27MPM3620AGQV-Z,MPS代理商授权经销
MPS代理商授权经销，深圳市惊羽科技有限公司，刘先生:1314700-5145，QQ:43871025，货真价实，有问必回！
2020-9-25MPM3630GQV-Z,MPS代理商授权经销
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2020-9-25MPM3632CGQV-Z,MPS代理商授权经销
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2020-9-25MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5VCMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。•浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
2012-11-12
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