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LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

DESCRIPTION The NE71300 features a low noise figure and high associated gain through K-band by employing a recessed 0.3 micron gate and triple epitaxial technology. The active area of the chip is covered with Si02 and Si3N4 for scratch protection as well as surface stability. This device is sui

NEC

瑞萨

LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

DESCRIPTION The NE71300 features a low noise figure and high associated gain through K-band by employing a recessed 0.3 micron gate and triple epitaxial technology. The active area of the chip is covered with Si02 and Si3N4 for scratch protection as well as surface stability. This device is sui

NEC

瑞萨

L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES Low noise figure NF = 0.6 dB TYP. at f = 4 GHz High associated gain Ga = 14 dB TYP. at f = 4 GHz Gate width: Wg = 280µm Gate Length: Lg = 0.3µm

NEC

瑞萨

Wiha Sockets

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

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CEL

更新时间:2025-12-24 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
1950
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEC
24+
SOT-343
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
NEC
20+
SOT-343
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
NEC
24+
SOT-343
880000
明嘉莱只做原装正品现货
NEC
2223+
SOT-343
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NE72084-SL
25+
37
37
NEC
05+
原厂原装
1130
只做全新原装真实现货供应
NEC
22+
SOT-343
3000
原装正品,支持实单
NEC
23+
SOT-343
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
NEC
2450+
N/A
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

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    MPS代理商授权经销,深圳市惊羽科技有限公司,刘先生:1314700-5145,QQ:43871025,货真价实,有问必回!

    2020-9-25
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    2020-9-25
  • MPM3632CGQV-Z,MPS代理商授权经销

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    2020-9-25
  • MPIC2130-3相桥驱动器

    该MPIC2130是一种高电压,高转速,功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出,也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作

    2013-2-7
  • MPIC2112DW-高端和低端驱动器

    MPIC2112是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟,以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R

    2012-11-12